第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目
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建设地点:********南工业区****-***C地块邮政编码:******项目概况:**天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目位于***********南片区****-***C地块,厂址中心坐标为东经***°**′**.****″(***.******),北纬**°**′**.****″(**.******),为现有工程东侧空地;项目总占地面积*****.***m*,总建筑面积******.**m*,包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备,***-*英寸碳化硅衬底生产线及研发中心,以及相关配套设施。用于扩大公司碳化硅晶体与晶片产能,同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善,投产后将实现年产约**.*万片导电型碳化硅衬底,其中*英寸导电型碳化硅衬底**.*万片,*英寸导电型碳化硅衬底**.*万片。公众参与说明.pdf受理时间:****-**-**联系人:周少良审批部门:***生态环境局环评单位名称:***科学技术研究院**环境研究所邮寄地址:******留庄路*号院*号楼",行政相对人名称:**天科合达半导体股份有限公司,"CONTACTPHONE":"***********设定依据:*、《中华人民**国环境保护法》第十九条、第四十一条、第六十一条、第六十三条。*、《中华人民**国环境影响评价法》第二十二条、第二十三条、第二十四条、第二十五条。*、《中华人民**国大气污染防治法》第十八条、第二十二条。*、《中华人民**国水污染防治法》第十九条。*、《中华人民**国环境噪声污染防治法》第十三条。*、《中华人民**国固体废物污染环境防治法》第十三条、第十四条。*、《中华人民**国放射性污染防治法》第二十九条。*、《建设项目环境保护管理条例》第六条。WNUM":*,"DEPARTMENT":"***生态环境局","传真电话:***-********
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