(IGBT晶圆)西南交通大学-结果公告(CB106132024000199)

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基本信息： 申购单号：***************** 申购主题：IGBT晶圆 采购单位：****** 竞价开始时间：****-**-** 竞价截至时间：****-**-** 币种：人民币 付款方式：货到经验收合格后付款 备注说明：WSJJ-****-***（科研用，单品牌竞价） 质疑说明：如果对成交结果有异议，请在发布成交结果之日起三个工作日内向采购单位提出质疑 成交总额：******.* 送货时间：合同签订后*天内 安装要求：免费上门安装（含材料费） 收货地址： 竞价结果： 采购项 品牌 单项预算 成交单价 质保及售后服务 技术参数 数量 单位 型号 成交总价 成交供应商 IGBT晶圆 ************* *.** *.** *、按行业标准提供产品和服务； *、是否要求本地有售后服务网点：（B） A.是 B.否 “本地”指采购单位所在省级行政区域；有售后服务网点的证明材料包括：参与竞价公司营业执照，当地某公司营业执照以及该当地公司与参与竞价公司之间签订的有效**协议。本地供应商无需上传证明文件；外地供应商需上传当地服务网点证明文件压缩包。 额定指标： (*)芯片尺寸为*.**mm(长)**.**mm(宽)**.***mm(厚度);栅极焊盘侧边居中，栅极尺寸不小于*.*mm**.*mm。 (*)芯片电参数： *.*额定参数：电压为****V,电流为**A; *.*动态参数： 开通电流上升时间：tr≤**ns(**%~**%);开通延迟时间：td(on)≤**ns; 测试条件：Vcc=***V,Rg=**ohm,Ic=**A,Tc=**℃; *.*饱和压降：VCEsat≤*.*V(典型值),VCEsat≤*.*V(最大值),测试条件：VGE=**V,Ic=**A,Tj=**℃; (*)技术路线：Trench-FS; (*)晶圆底面可锡焊，顶面可**mil铝丝键合； (*)wafer包装尺寸size=***mm;出厂检测未通过的标注醒目黑点，整片合格率不低于**%。 *****.* 颗 XNQP****AA ******.** *************