中国科学院上海微系统与信息技术研究所基于AI高维参数调控、数据检测分析技术的高性能InP基材料开发采购项目中标公告

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一、项目编号：OITC-G*********（招标文件编号：OITC-G*********） 二、项目名称：*******微系统与信息技术研究所基于AI高维参数调控、数据检测分析技术的高性能InP基材料开发采购项目 三、中标（成交）信息 供应商名称：中国电子科技集团公司第十三研究所 供应商地址：**省*********路***号 中标（成交）金额：***.*******（万元） 四、主要标的信息 序号 供应商名称 服务名称 服务范围 服务要求 服务时间 服务标准 * 中国电子科技集团公司第十三研究所 基于AI高维参数调控、数据检测分析技术的高性能InP基材料开发 开发基于AI的高维合成参数精确监控与实时调控系统，能在材料生长过程中即完成对生长结果的预测，实时调控生长；开发基于AI的数据管理分析与异常检测系统，能完成高通量数据采集、关键数据分析、异常检测、根因分析；基于这两个系统，开发高性能InP基射频材料。 *、乙方需具备拥有完整制造流程的生产产线或相应的实验设备，软件系统需直接部署到产线，并提供系统可行性的实测数据验证证明。 *、系统开发完成后，乙方需提供全套软件安装文件与环境配置文件，并提供全套评审与说明文档，包括原型评审文档、设计评审文档、详细设计说明书、数据结构说明书、用户操作手册、运维手册、测试用例评审文档等。 *、乙方需向甲方提供系统安装配置服务、系统使用培训服务及后续的维护服务。 *、甲方在使用过程中对软件功能、性能的优化有建议，乙方需配合交流并制定优化方案，并在服务范围内提供必要的技术支持。 *、InP基射频外延基片样片生产完成后，乙方交付样片的同时需提供相应的验证测试合格报告。 *年 (*)AI数据管理分析与异常检测系统*套，检测精度**%，误报率*% (*)AI高维参数精确监控与实时调控系统*套，模型预测精度**%，调参成功率**% (*)InP基HBT射频材料*英寸晶圆：基区材料的空穴载流子浓度≥*×**** cm-*、迁移率≥** cm*/V·s InP基APD光电材料*英寸晶圆：缺陷密度≤**个/cm*，本底载流子浓度≤*×**** cm-* 五、评审专家（单一来源采购人员）名单： 蔡玉钊 张涛 杨国平 叶军安 孔潇（用户代表） 六、代理服务收费标准及金额： 本项目代理费收费标准：****号文 本项目代理费总金额：*.****** 万元（人民币） 七、公告期限 自本公告发布之日起*个工作日。 八、其它补充事宜 本项目采用综合评分法，中标供应商的评审总得分为**.**分。 附件：招标文件 九、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。 *.采购人信息 名 称：*******微系统与信息技术研究所　　　　　 地址：*****路***号　　　　　　　　 联系方式：胡老师,***-********-****　　　　　　 *.采购代理机构信息 名 称：************　　　　　　　　　　　　 地　址：********街*号互联网金融中心**层　　　　　　　　　　　　 联系方式：杨帆 陈小舫 赵倩,***-********/***-********　　　　　　　　　　　　 *.项目联系方式 项目联系人：杨帆 陈小舫 赵倩 电　话：　　***-********/***-******** 　 查看